Виды памяти. Часть 1

Для микроЭВМ семейства «Электроника» выпускаются в основном запоминающие устройства полупроводниковые для временного и постоянного хранения программ и данных. К запоминающим устройствам временного хранения информации следует отнести модули П1 (15У30-4-002), П2 (15У 30-4-003), ПЗ (15У30-16-004), П5 (МС 3101), П7 (МС 3102.01).

Все перечисленные модули являются ОЗУ динамического типа различаются емкостью, быстродействием, потребляемой мощностью и типом применяемых БИС (табл. 4.2). Кроме того, модуль П1 отличается от П2 наличием дополнительного сигнала «Пуск запоминающего устройства» (ПУСК ЗУ), вырабатываемого процессором Ml и разрешающего работу схемы выбора номера банка памяти. Поэтому запоминающее устройство П1 может работать только при наличии в системе процессора Ml, остальные модули не критичны к типу процессора.

Модули ОЗУ

Каждый модуль ОЗУ состоит из 16 элементов, представляющих МДП-БИС серии К565 или К581, и логических схем адресации и управления. Модуль ОЗУ П5 содержит 18 БИС и предназначен для использования в составе микроЭВМ «Электроника 60-1». Структурные схемы модулей ОЗУ приведены на рис. 4.8.

Структурные схемы модулей П3

Данные в память могут записываться или считываться центральным процессором микроЭВМ или устройством, работающим в режиме непосредственного доступа к памяти. Любое обращение к памяти начинается с адресной части цикла. Активное устройство выставляет на шины данные/адрес 16-разрядное адресное слово, в котором разряды 15... 13 используются для выбора номера банка памяти (банк памяти — это 4К слов), разряды 14...01 (01...07 — адрес строки, 08... 14 — адрес столбца) определяют ячейку внутри банка памяти, а разряд 00 указывает, к какому байту идет адресация. Адресные разряды 00... 14 запоминаются в регистре адреса и схеме выбора номера банка. Если обращение было произведено к данному банку памяти, то на выходе схемы выбора номера банка появляется сигнал «Выбор банка» (ВБ), который по сигналу СИА запоминается и разрешает прием из Канала микроЭВМ сигналов «Ввод» и «Вывод».

В цикле считывания осуществляется считывание информации из памяти. По сигналу «Ввод», вырабатываемому активным устройством, модуль памяти разрешает передачу в Канал данных из памяти и формирует сигнал СИП, который информирует активное устройство о том, что данные находятся на шинах Канала. Принимая этот сигнал, активное устройство снимает сигнал «Ввод», что в свою очередь снимает сам сигнал СИП и прекращает подачу сигнала СИА.

В цикле записи активное устройство устанавливает на Канале сигналы «Вывод» и «Байт». Если последнего нет, то осуществляется запись слова. При этом оба сигнала ЗАП1 и ЗАП2 активны. Если сигнал «Байт» установлен, то происходит запись байта, определяемого разрядом 00 (0—старший байт, 1 —младший). Подтверждением записи данных в память является выработка модулем памяти сигнала СИП. Получив этот сигнал, активное устройство последовательно снимает сигналы «Вывод», СИП и СИА.

В цикле считывание — модификация — запись осуществляется считывание данных из выбранной ячейки, модификация их (т. е. выполнение арифметико-логических операций) и запись результата в ту же ячейку памяти. Эта операция выполняется при одном обращении к Каналу микроЭВМ, т. е. при одном сигнале СИА.

Для микросхем, на базе которых выполнены модули памяти П2 и ПЗ, необходимо через каждые 2 мс выполнять циклы регенерации для сохранения информации, а для БИС модуля П1 — через 1 мс. Регенерация заключается в выполнении 64 циклов считывания при адресации по строкам. Эту операцию выполняют либо центральный процессор, либо другое устройство, работающее в режиме непосредственного доступа к Каналу. Для этого необходимо установить в Канале сигнал РГН, который запоминается модулями памяти и вырабатывает сигнал ВБ во всех модулях, подключенных к Каналу, а также запрещает работу их канальных передатчиков. При регенерации по сигналу «Ввод» вырабатывается сигнал СИП. Регенерация осуществляется во всех банках памяти одновременно. Следует заметить, что в модулях памяти предусмотрена возможность с помощью микропереключателей В2 запрещать выработку сигнала СИП совсем или на время регенерации, а также устанавливать задержку этого же сигнала в 200 и 400 не, если регенерация ведется с высокой скоростью обмена.

Адрес модулей памяти устанавливается пользователем с помощью микропереключателей В1 на модуле. В модулях ПЗ пользователь может использовать адрес памяти от 32 до 128 К, применяя для этого расширяющие адресные разряды РАД16 и РАД17, которые можно устанавливать модульным микропереключателем ВЗ.


Виды памяти. Часть 2